HOGE S系列内存产品专为国产替代方案而设计制定，其采用标准型DDR4 JEDEC设计规范，专项甄选高品质DDR4 SDRAM存储芯片，严格适配国产CPU架构平台，提供稳定可靠、性能突出的信创应用的内存技术解决方案。
应用范围：海光3350M平台/龙芯3A600M平台
| 总线：64位 DDR4 Unbuffered Non-ECC | 接口：260PIN SODIMM DDR4 |
| 架构：1Rx8/2Rx8 | 电压：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV |
| 工作温度：0℃ to 70℃(Tcase) | 存储温度：-55℃ to 100℃ |
| 尺寸：69.6 x 30（±0.15mm）x 1.2(±0.1mm) | 合规：RoHS 2.0 |
| Speed：3200Mbps | CL：22x |
| tCK：0.625ns | Timing：22-22-22 |
| VPP：2.5V | Banks：x8 16 Banks (4 Bank Groups) |
| Address：A0~A16 Max. | ODT：On Die Termination using ODT pin |
| CRC：Cyclic Redundancy Check for Read/Write data security | RoHS：All of Lead-Free products are compliant for RoHS |
汇钜存储：深耕存储领域，引领数据未来
